格子欠陥分科シンポジウム・招待（特別）講演

2014年秋 春　 2013年秋 春　 2012年秋 春　 2011年秋 春　 2010年秋 春　 2009年秋 春　 2008年秋 春　 2007年秋 春　 2006年秋 春　 2005年秋 春　 2004年秋 春　 2003年秋 春　 2002年秋 春　 2001年秋 春　 2000年秋 春　 1999年秋 春　 1998年秋 春　 1997年秋 春　 1996年秋 春　
　

2014春（徳島大学）

 　

S:

局所構造と物性　その評価と応用
1 はじめに（東大理：新井正敏）
2 Mg合金におけるLPSO構造生成の第一原理計算（関学大理工：西谷滋人）
3 ITER用超伝導線材の機械・電磁特性と量子ビームを用いた局所歪測定（応用科学研：長村光造）
4 収束電子回折によるBaTiO3強誘電相のナノ構造解析・分極マッピング（東北大多元研：津田健治）
5 第一原理からのフォノン計算の最近の進歩（京大ESISM：東後篤史）
6 陽電子マイクロプローブ欠陥分析法の原理・技術・応用
（産総研：大島永康）
7 表面超音波によるシリコンウェーハの原子空孔の研究と産業応用への展開
（新潟大CFIL：三本啓輔）
8 放射光マイクロ回折による薄膜・界面・ナノ構造評価
（JASRI：木村滋）
8 蛍光X線ホログラフィーによる3次元原子配列評価に関する最近の研究
（熊本大院自然：細川伸也）

S:

ヘリウムプラズマ照射により誘起される金属表面ナノ構造の新展開
Cross-disciplinary study of metallic surface nanostructures induced by the helium plasma irradiation
1 繊維状ナノ構造との遭遇とその成長初期段階
Finding of fiber-form nanostructure on tungsten surface and initial stage of its formation
（愛工大工：高村秀一）
2 ヘリウムプラズマ照射によるタングステンナノ構造の形成と物性変化
Formation and property of tungsten nanostructure by the exposure to helium plasma
（名大エコトピア：梶田信）
3 タングステンナノ構造形成過程の電子顕微鏡その場観察
In situ TEM observation of the formation of nano-structures on tungsten
（島根大総理工：宮本光貴）
4 ヘリウム照射により発現するタングステンナノ構造の光触媒特性
Photocatalysis of nanostructured tungsten materials irradiated by He plasma
（名大エコトピア ：吉田朋子）
5 タングステンへの水素ヘリウム同時照射における透過実験
Helium effects on hydrogen trapping and permeation in tungsten
（阪大院工：Lee Heun Tae）
6 タングステン中の希ガス凝集・拡散機構の理論的解明: 第一原理計算と分子動力学計算
Possible clustering of noble gas atoms implanted in bcc W: first-principles and classical MD study
（名工大：田村友幸）
7 分子シミュレーションによるタングステン表面ナノ構造形成メカニズムの解明
Molecular simulation research on formation mechanisms of tungsten nanostructure
（産総研：香山正憲）
8 タングステンへの水素ヘリウム同時照射における透過実験
Helium effects on hydrogen trapping and permeation in tungsten
（核融合研：伊藤篤史）

　

2013秋（広島大学）

 　

I:

シリコン単結晶で微細な機械構造を作る：結晶のエッチングと機械的特性評価（愛工大工：佐藤一雄）

　

2013春（広島大学）

 　

S:

元素戦略が促進する分野融合と物理

1 元素戦略の概要とシンポジウムの趣旨（東大理：常行真司）
2 固体触媒・二次電池材料と界面化学（京大工：田中庸裕）
3 高性能永久磁石探索における理論、計測および材料プロセシングの挑戦課題（NIMS：広沢哲）
4 新奇アニオンとナノ構造がもたらす新しい電子機能材料（東工大フロンティア：細野秀雄）
5 強さとねばさを併せもつ構造材料をめざして（京大工：田中功）
6 パネルディスカッション「元素戦略と分野融合」−指針と提言−
（パネリスト　阪大：高尾正敏、JST：中村道治、電磁材料研：増本健、奈良先端大：村井眞二）

S:

Mg基長周期積層構造（LPSO）における面欠陥と溶質原子の相互作用

1 はじめに（関学大理工：西谷滋人）
2 Mg基LPSO合金の組織と強度（熊大先進マグネシウム国際研究センター：河村能人）
3 放射光で見るMg基LPSO構造（高輝度光科学研究センター：木村滋）
4 原子レベルで見るLPSO中の積層欠陥と溶質原子相互作用（東北大金研：井上耕治）
5 第一原理局所エネルギーでみる積層欠陥の'広がり'（東大生研：椎原良典）
6 Mg基LPSO構造における溶質原子の相互作用の第一原理計算（阪大基礎工：君塚肇）

　

2012秋（横浜国立大学）

 　

S:

これからのエネルギーと原子力発電

1 シンポジウム趣旨と経緯（東理大理：加納誠）
2 これからのエネルギーと原子力発電：材料工学的立場から（東大名誉教授：井野博満）
3 これからのエネルギーと原子力発電：俯瞰的立場から（FUKUSHIMAプロジェクト：西村吉雄）
4 これからのエネルギーと原子力発電：政府事故調査委員の立場から（九大副学長：吉岡斉）
5 総合討論（パネリスト：井野博満、西村吉雄、吉岡斉、鈴木亨）

　

2012春（関西学院大学）

 　

S:

エネルギー・環境材料の機能と格子欠陥
1 原子力材料の機能評価　−理論的アプローチ−（JAEA：加治芳行）
2 原子力材料の欠陥分布と機能　−3次元APと陽電子消滅−（東北大金研：永井康介）
3 エネルギー・環境材料と格子欠陥　−分光TEMによる展開−（名大院工：武藤俊介）
4 リチウムイオン電池材料中のリチウム拡散 −μSRによる評価−（豊田中研：杉山純）
5 太陽電池材料中の鉄不純物 −メスバウアー分光による評価−（静岡理工科大：吉田豊）
6 触媒･電池機能の理論とナノ界面評価（産総研ユビキタス：香山正憲）
7 触媒機能のナノ評価　−TEMその場観察による展開−（阪大産研：竹田精治）

　

2011秋（富山大学））

 　

S:

格子欠陥・ナノ構造の3次元実空間解析

1 三次元実空間解析の意義：緒言（山内淳：慶大理工）
2 50pm分解能STEMによる原子欠陥の個別識別　＝＝ドーパント＝＝（大島義文：阪大 超高圧電子顕微鏡センター）
3 球面収差補正電子顕微鏡によるナノマテリアル原子レベル構造解析（田中信夫：名大エコトピア）
4 Ｘ線ホログラフィーによる格子欠陥と局所格子歪みの評価（林好一：東北大金研）
5 弗酸液浸フォトルミネッセンスイメージングによる太陽電池評価（田島道夫：JAXA宇宙研）
6 レーザーアトムプローブによる無機材料の３次元ナノ解析（宝野和博：物材機構）

S:

水素アトミクス科学の展望 -プロトニクスに向けて-

1 はじめに（池田進：KEK）
2 水素アトミクスの理論研究とその展望（笠井秀明：阪大）
3 表面･サブサーフェイスにおけるプロトンダイナミクス（福谷克之：東大）
4 星間物質表面での水素反応（渡部直樹：北大）
5 固体プロトニクスの創成と水素トランスポート現象の研究（北川宏：京大）
6 低次元ナノ空間に閉ざされた水とプロトン伝導（松井広志：東北大）
7 中性子散乱法の革新と水素が創る構造とダイナミクスの研究（大友季哉：KEK）

　

2011春（新潟大学）

 　

S:

格子欠陥・ナノ構造の3次元実空間解析
1 三次元実空間解析の意義：緒言（山内淳：慶大理工）
2 50pm分解能STEMによる原子欠陥の個別識別　＝＝ドーパント＝＝（高柳邦夫：東工大理工）
3 球面収差補正電子顕微鏡によるナノマテリアル原子レベル構造解析（林好一：東北大金研）
4 弗酸液浸フォトルミネッセンスイメージングによる太陽電池評価（田島道夫：JAXA宇宙研）
5 レーザーアトムプローブによる無機材料の３次元ナノ解析（宝野和博：物材機構）

　

2010春（岡山大学）

 　

S:

グリーンテクノロジーにおける格子欠陥・ナノ構造の役割
1 はじめに（前田康二：東大院工）
2 次世代太陽電池開発における欠陥の理解と制御の重要性（山口真史：豊田工大）
3 発光デバイスの劣化研究の現状と今後の課題（上田修：金沢工大）
4 ナノ構造変化の解明に基づいた原子炉材料の劣化予測の重要性（永井康介：東北大）
5 第一原理計算と電子顕微鏡観察によるエネルギー環境材料の解明と設計（香山正憲：産総研）
6 固体触媒における格子欠陥とナノ構造（大西洋：神戸大）
7 水素がもたらすナノ粒子機能の新しい展開（山内美穂：北大）

　

2009春（立教大学）

 　

S:

高濃度ドープへの挑戦とそれに伴う格子欠陥の解決
1 はじめに（斎藤峯雄：金沢大理工）
2 Siへの高濃度Bドーピング：理論からのアプローチ（山内 淳：慶大理工）
3 Siへの高濃度Bドーピング：実験からのアプローチ （水島 一郎：東芝セミコンダクター社）
4 磁性半導体におけるスピノーダル分解の予測と材料設計（佐藤 和則：阪大産研）
5 半導体における磁性元素の高濃度ドーピングと非一様分布 （ 黒田 真司 ：筑波大）
6 高濃度ドープダイヤモンドでのボロン複合物のNMRによる微視的構造 （椋田秀和：阪大基礎工）
7 ダイヤモンドにおける高濃度ドープボロンのつくる欠陥 （小口 多美夫： 広大院先端）

　

2008秋（岩手大学）

 　

S:

シリコン結晶中の単原子空孔：量子状態解明の新たな展開と半導体技術イノベーション
1 低温超音波計測によるシリコン原子空孔の物性研究と産業応用　新潟大院自然　後藤輝孝
2 陽電子消滅で見たシリコン中の原子空孔　日本原子力研究開発機構　河裾厚男
3 シリコン原子空孔における電荷状態の広がりと強相関・強結合効果　新潟大理　大野義章
4 シリコン中点欠陥の電子状態と弾性定数の温度・磁場依存性　阪大院基礎工　三宅和正
5 シリコン単原子空孔の大規模第一原理計算:従来の知見の再検証　岡山大院自然　鶴田健二
6 X線結晶密度法によるシリコン原子空孔評価とキログラム原器　産業技術総合研究所　藤井賢一
7 Czochralskiシリコン結晶成長における点欠陥の挙動と制御　SUMCO TECHXIV Co.　中村浩三

S:

Physics and applications of hydrogen absorption on Pd surfaces and nano particles
1 Introduction　Japan Atomic Energy Agency　Katsutoshi Aoki
2 Hydrogen dynamics in the Pd nano particle　Faculty of Science， Kyusyu University　Miho Yamauchi
3 Kinetics of the hydrogen absorption on the Pd surface and nano particle　Institute of Industrial Science， The University of Tokyo　Wilde Markus
4 Theoretical study of the hydrogen absorption on the Pd surface　Faculty of Engineering， Osaka University　Hiroshi Nakanishi
5 Application of the hydrogen sensor on the Pd surface　Faculty of Engineering， Niigata University　Syuji Harada

　

2007秋（北海道大学）

 　

S:

エキゾチック粒子で探る物質ナノ構造と物性

1 はじめに　阪大工　白井泰治
2 ミュオンで探る半導体電気伝導性の研究　KEKミュオン　下村浩一郎
3 反射高速陽電子回折で探る半導体最表面構造　原子力機構　深谷有喜
4 エネルギー可変パルス陽電子ビームで探る材料ナノ構造　産総研　鈴木良一
5 γ線時間測定の進歩から見えるものー格子欠陥から原子物理まで　東大院総合文化　斎藤晴雄
6 3次元アトムプローブと陽電子消滅CDB法で探る金属ナノ組織と力学特性　東北大金研　永井康介

　

2007春（鹿児島大学）

 　

S:

ナノ微粒子の構造及び電子状態の制御とその機能性の展開
1 はじめに：ナノ微粒子の構造制御と物性（大阪府大院　堀史説）
2 水中レーザーアブレーションで作製した銀ナノ粒子の表面物性と形態制御への応用（九大先導物質化学研　辻剛志）
3 XAFSによるPtRu二元系ナノ粒子の構造解析と触媒活性の相関（阪大院工　山本孝夫）
4 二元系金属ナノ粒子の構造制御と水素吸蔵特性（九大理　山内美穂）
5 バイオイメージングのためのナノ粒子応用−各種欠陥の発光への影響−（東京理大工　曽我公平）
6 レーザープロセスによるSiナノ構造体の創製と不純物ドーピング制御（産総研ユビキタス　岡崎一行）
7 ダイヤモンドにおける高濃度ドープボロンのつくる欠陥（筑波大物工　村上浩一）

　

2006秋（千葉大学）

 　

S:

計算機ナノマテリアルデザインとスピントロニクス〜成功物語と将来展望〜
1 高いキュリー温度を持つワイドギャップ希薄磁性半導体のデザインと合成　阪大産研　佐藤和則
2 MgO(001)トンネル障壁のスピン依存トンネルの理論予測と巨大TMR効果の実現　産総研　湯浅新治
3 スピン流による磁化制御:磁壁移動デザインと実証　首都大学東京　多々良源
4 スピンホール効果の理論デザインと実験　東大工　永長直人

　

2006春（愛媛大学）

 　

S:

カーボン物質の機能性ナノ構造形成
1 なぜカーボンのナノ構造か　信州大工　遠藤守信
2 ナノグラファイトの特異な電子・磁気物性　東工大院理工　榎敏明
3 水素吸蔵物質としてのカーボンナノ構造　広大工　星野公三
4 カーボンナノウォールの生成とその構造　横市大院総理　橘勝
5 電子励起によるカーボンナノ構造形成　東大工　前田康二
6 単層カーボンナノチューブのCVD生成メカニズム　東大工　丸山茂夫
7 ナノグラファイトの構造・機能評価-秩序と無秩序の間-　名大工　武藤俊介
8 ナノ・アモルファスダイヤモンドと炭素空洞球の創製　兵庫教育大　庭瀬敬右

I:

水素による金属原子拡散の促進効果　東北大工　山崎仁丈

　

2005秋（同志社大学）

 　

S:

電子励起と不純物ダイナミックスのコントロール　（領域１０・領域４合同）　
1 イントロダクトリートーク　阪大産研　白井光雲
2 赤外線照射による不純物拡散の制御　富士通　金田寛
3 電子励起による共有結合性擬2次元表面構造の不安定性　阪大産研　金崎順一
4 シリコンの照射欠陥の低エネルギー電子による回復　物質材料研　北島正弘
5 時間依存密度汎関数による励起状態計算　筑波大　岩田潤一
6 水素ダイナミックスにおける量子効果　東大理　常行真司
7 SiO2へのレーザー照射効果　筑波大　押山淳

S:

カーボンナノチューブの欠陥と物性　
1 ナノチューブ欠陥に起因するラマンスペクトル　東北大院理　齋藤理一郎
2 ナノチューブにおける点欠陥の生成・消滅過程のその場観察　産総研ナノカーボンセンター　末永和知
3 光励起によるナノチューブ欠陥のダイナミクス:第一原理計算より　NEC基礎研　宮本良之
4 ナノチューブのトポロジカル欠陥の電子状態とコンダクタンスへの寄与　東工大理　安藤恒也
5 その場電子顕微鏡法によるナノチューブの形成・変形過程の原子ダイナミックスと物性解析　筑波大物質工　木塚徳志
6 曲げ変形によるナノチューブの構造欠陥生成の動的過程の計算　横浜市大総理　岡田勇

I:

Si酸化における原子輸送の物理　NTT基礎研　影島愽之

　

2005春（東京理科大）

 　

S:

固体における水素の科学の新展開　
1 はじめに　中大理工　深井　有
2 水素結合型結晶での水素のダイナミクス　お茶の水大　冨永靖徳
3 中性子による水素の科学の新展開　KEK　池田　進
4 固体内で水素の量子絡み合い状態は存在するか　中大理工　杉本秀彦
5 金属表面での水素の吸着状態に見られる量子効果　東大生研　福谷克之
6 水素の解離吸着と吸収の量子シミュレーション　阪大院工　笠井秀明
7 電子と陽子の量子シミュレーション　東大院理　常行真司

I:

プローブ顕微鏡法による半導体格子欠陥・ナノ構造の形成初期過
物材機構ナノマテ研、 筑波大数理物理　三木一司

　

2004秋（青森）

 　

I:

SiO2中の酸素原子の挙動とボンド形成：自由エネルギーMD計算　 筑波大物理　 押山淳

　

2004春（九州）

 　

S:

ナノスケール構造を利用した物質創製−材料種の枠を超えて
1 相分離を利用したナノ結晶磁性材料の組織制御　物材研　宝野和博
2 自己組織化による強誘電体PbTiO3ナノ構造の形成と構造制御　姫工大工　藤沢浩訓
3 マンガン酸化物のミクロな相分離　名大工　守友浩
4 III-V族半導体ヘテロ構造における磁性制御:Mnデルタドーピングとp型選択ドーピング　東大工　田中雅明
5 磁性ナノ粒子集合体の自己形成とスピン依存単電子トンネル　東北大金研　三谷誠司

I:

非接触原子間力顕微鏡による有機分子の散逸イメージング　京大工　山田啓文

　

2003秋（岡山）

 　

S:

自己組織化によるナノ構造材料形成に向けたマルチスケールの視点
1 はじめに　京大工　西谷滋人
2 半導体量子ドットの自己形成とその物性　東大生産研　荒川泰彦
3 分子ボトムアップによる一次元ナノ構造の創製−脂質ナノチューブ系を中心に−　産総研　清水敏美
4 自己組織化のシミュレーションにおける課題　産総研　寺倉清之
5 Phase-field法を利用した自己組織形成過程の計算と将来展望　物材機構　小山敏幸
6 組織形成シミュレーションの課題　早大理工　斎藤良行
7 第一原理計算による計算機シミュレーション用相互作用パラメータ模型の構築：内部エネルギーのクラスター展開　静大工　星野敏春
8 第一原理分子動力学法による相転移現象のシミュレーション　東大工　森下徹也

　

2003春（東北）

 　

S:

水素と物質ナノ構造との強い相関
1 水素誘起欠陥と水素誘起アモルファス化　阪大工　荒木秀樹
2 水素化による格子欠陥生成の陽電子消滅による研究とその第一原理計算　阪大工　水野正隆
3 水素誘起アモルファス化の分子動力学シミュレーション　物材機構　片桐昌彦
4 単分散Pt族ナノ粒子の水素吸着　筑波大化　山内美穂
5 水素を用いたシリコン結晶中の欠陥の検出と原子空孔形成エネルギーの決定　東北大金研（現筑波大物理工学系）　深田直樹
6 水素による半導体中の転位運動促進効果とその機構　岡山大工　山下善文
7 水素による金属中格子欠陥の物性制御；第一原理計算から　物材機構　館山佳尚

　

2002秋（名古屋）

 　

S:

無秩序系における短・中距離秩序構造解析の最近の進展
1 高エネルギー透過電子エネルギー損失分光による短距離構造解析 名大理工総研　武藤俊介
2 電子回折法による非晶質材料の構造解析 物材機構　大久保忠勝
3 EXAFSとAXSによる構造解析の長所・短所を考える-溶液中の金属錯体構造評価を中心に- 東北大金研　松原英一郎
4 高エネルギー単色X線回折による酸化物ガラスの中距離構造解析 原研放射光　鈴谷賢太郎
5 パルス中性子回折によるナノ構造解析 京大原子炉　福永俊晴

I:

原子力材料における照射効果の諸問題:研究の現状と基礎的研究への期待 原研物質科学　實川資朗

　

2002春（滋賀）

 　

I:

場の理論に基づく転位自己組織化過程のモデル化 同志社大工　長谷部忠司

　

2001秋（徳島）

 　

S:

大規模シミュレーションで見る格子欠陥の世界
1. はじめに 九大応力研　大沢一人
2. インデンテーションにおける転位網の発達予測 阪大工　渋谷陽二
3. 大規模シミュレーションのための経験ポテンシャルの開発の現状 京大工　西谷滋人
4. 大規模並列分子動力学計算-計算機採用による欠陥・界面制御を目指して 岡山大工　鶴田健二
5. 第一原理電子構造計算および第一原理MD 東大工　藤原毅夫
6. 第一原理計算で見た鉄中の格子欠陥と水素効果 金材技研　大野隆央
7. 半導体中の点欠陥の第一原理計算 東北大金研　西松毅

　

2001春（東京）

 　

S:

半導体における電子励起欠陥反応
1. 半導体における電子励起欠陥反応の物理（篠塚雄三・和歌山大工）
2. 共有結合半導体での電子励起sp3-sp2変換（菅沼洋輔・阪府大工）
3. 非断熱緩和過程を取り入れた第一原理分子動力学（宮本良之・NEC基礎研）
4. Si中の水素拡散における荷電効果（上浦洋一・岡山大工）
5. Si中の不純物対の再結合促進解離反応（末澤正志・東北大金研）
6. 半導体表面における電子励起欠陥反応（前田康二・東大工）

I:

第一原理計算による粒界・界面の構造と性質の解明（香山正憲・大工試材料物理）

　

2000秋（新潟）

 　

S:

シリコンの固-液界面の原子挙動とグローイン欠陥
1. シリコンの点欠陥の原子的構造はどこまで解明されたか？（押山淳・筑波大物理）
2. シリコンの固・液界面における熱挙動と格子欠陥（井上直久・大阪府大先端研）
3. シリコンの固・液界面の形状のその場観察（柿本浩一・九大機能研）
4. シリコンの融液成長における固液界面の形状と点欠陥生成過程（本岡輝昭・九大材料工）
5. 4.に対するコメント（HRTEM観察を中心として）（大嶋隆一郎・大阪府大先端研）
6. 結晶成長速度と欠陥の性状（中村浩三・コマツ電子）
7. 八面体空洞欠陥（DOV）の構造と生成・消滅過程（逸見学・NTT）
8. COP欠陥と結晶成長（長谷部政美、岩崎俊夫・ニッテツ電子）
9. 窒素ドープシリコン結晶中のGrown-in欠陥形態（藤森洋行・東芝セラミックス、岡部俊夫・富山大理）

I:

原子空孔と物質科学の新たな関わり（白井泰治・阪大工）

　

2000春（関西）

 　

S:

加速器を利用した格子欠陥の動的挙動研究の現状と展望
1. 理研RIビームファクトリーにおけるイオン-物質相互作用の研究（山崎泰規・理研）
2. 高速粒子照射による高密度エネルギー付与と原子変位（岩瀬彰宏・原研）
3. 固体中へ反跳植え込みした端寿命12Bと12NのbNMRによる動的挙動の研究（南園忠則・阪大理）
4. 核破砕反応による短寿命メスバウア・プローブ注入後の格子位置と動的挙動（吉田豊・静岡理工科大）
5. 水素同位体としてのミュオン・ミュオニウムが示す固体中での動的挙動（門野良典・高エネ構造研）
6. 核共鳴非弾性散乱による不純物局所振動状態密度の研究（瀬戸誠・京大原子炉）
7. 内殻励起によるサイト選択的化学結合切断の可能性（田中健一郎・広大理）

I:

結晶塑性における一般則と予測性（鈴木敬愛・東大生研）

　

1999秋（岩手）

 　

S:

ナノ構造制御による新しい物質科学
1. ヨーロッパにおけるナノ構造物質研究の現状（H. -E. Schaefer+ Stuttgart大）
2. ナノ構造制御による新規磁性材料の追求（北英治・筑波大物質工）
3. 超音波照射法によるナノ微粒子合金の創成と構造制御（大嶋隆一郎、永田良雄・大阪府大先端研）
4. 鉄中の銅ナノ析出物の巨大陽電子捕獲とその応用（永井康介、長谷川雅幸・東北大金研）
5. シリコンナノ構造の形成・物性・量子機能（広瀬全孝・広大工）
6. InGaN中の低次元ナノ構造からの発光（川上養一、成川幸男、藤田茂夫・京大工、中村修二・日亜化学）
7. 欠陥制御によるシリコン系ナノ構造作成の新ルート（竹田精治・阪大理）

I:

空孔と水素がつくる新物質と物性（深井有・中央大理工）

　

1999春（広島）

 　

S:

Extended Defectが担う物性とその普遍性
1. 金属間化合物の塑性に関する最近の話題（山口正治・京大工）
2. 半導体の低温塑性と転位（鈴木敬愛・東大生研）
3. フラーレン結晶の変形特性と転位の挙動（小島謙一・横浜市大理）
4. 融点近傍における氷の格子欠陥の挙動と圧力効果（本堂武夫・北大低温研）
5. 結晶粒界の強度と拡散特性の分子動力学解析（斎藤賢一・阪大工）
6. 積層欠陥付近での原子空孔の移動と集合のアトミスティック・シミュレーション（杉尾健次郎、下村義治・広大工）

　

1998秋（沖縄）

 　

S:

点欠陥および関連した格子欠陥の実験的研究の最近の進展
1. メスバウア分光による点欠陥の動的挙動その場観察（吉田豊・静岡理工大）
2. 摂動角相関法（PAC）による金属、半導体中の格子欠陥と不純物（花田黎門・東北大金研）
3. 走査トンネル顕微鏡による格子欠陥研究の現状と課題（前田康二・東大工）
4. Al中の不純物原子と転位の基本的相互作用（小杉俊男・広大理）
5. Ｘ線散漫散乱による格子欠陥の研究（前田裕司・広島電機大）
6. 陽電子で見える金属中のサブナノメートル空間（白井泰治・阪大工）
7. イオン結晶・半導体中のミュオニウム/水素中心の研究-現状と課題（門野良典・高エネ構造研）
8. 金属中の希ガス原子および水素の状態-チャネリング実験（八木栄一・理研）

　

1998春（千葉）

 　

S:

格子欠陥、材料設計の理論的研究の現状と課題；第一原理計算と模型計算
1. 密度汎関数法（LSDとAGCA）（浅田寿生・静大工）
2. FLAPW法の特徴と応用（浜田典昭・東理大理工）
3. KKR法の特徴と応用（赤井久純・阪大理）
4. 混合基定法の特徴と応用（大野かおる・東北大金研）
5. 擬ポテンシャル法と第一原理分子動力学計算（森川良忠・JRCAT-融合研）
6. 第一原理計算とクラスター変分法（神藤欣一・東工大総合理工）
7. DV-Xaクラスター法の特徴と応用（小笠原一禎・京大工）
8. タイトバインディング模型とO(N)法の現状と課題（青木正人・岐阜大工）
9. EAMによる分子動力学と格子欠陥への応用（木暮嘉明・帝京科学大）

　

1997秋（神戸）

 　

S:

第一原理計算と半導体格子欠陥研究：理論と実験
1. 第一原理計算による格子欠陥の物性予測と実験：序論と現状（吉田博・阪大産研）
2. 陽電子消滅２次元角相関法による半導体中の原子空孔の研究（実験）（千葉利信・無機材研）
3. 陽電子消滅２次元角相関法による半導体中の原子空孔の研究（理論）（斎藤峯雄・NEC情報システムズ、唐政・東北大金研）
4. Si中のH-C複合体の構造と電子状態（実験）（上浦洋一・岡山大工）
5. Si中のH-C複合体の構造と電子状態（理論）（金田千穂子・富士通研）
6. 半導体材料研究における第一原理計算の限界と将来展望（川添良幸・東北大金研）

　

1997春（名古屋）

 　

S:

材料界面研究の新展開
1. 結晶粒界と異種物質界面の原子・電子構造（市野瀬英喜・東大工）
2. 材料界面のEELSとその理論解析（田中功・京大エネ研）
3. 意志物質界面の原子構造と方位予測（幾原雄一・東大工）
4. 原子サイズ接合による界面形成と原子直視型観察（木塚徳志・名大工）
5. 界面の摩擦のメカニズム（平野元久・NTT入力システム研）
6. 直接接合法による半導体素子の界面（森一男、徳留圭一、菅生繁男・NECエレ研）
7. プラズマCVD法による微結晶シリコン薄膜作成における界面制御（近藤道雄、松田彰久・電総研）
8. セラミックスの超塑性幻想と粒界ダイナミックス（若井史博・名工研、科技団）

　

1996秋（山口）

 　

S:

極低温照射実験と格子欠陥研究
1. Introductory talk（奥田重雄・茨城大工）
2. 低温照射された金属の陽電子消滅測定法による研究（蔵元英一・九大応力研）
3. 低温中性子照射した金属の低温TEM観察（福島博・広大工）
4. KURにおける材料照射研究の現状と将来（義家敏正・京大原子炉）
5. イオン結晶およびセラミックスのKUR低温照射研究（岡田守民・京大原子炉）
6. 低温照射した高温超伝導体における欠陥生成（石川法人・原研先端研）
7. 東大弥生炉における極低温中性子照射実験（岡村直人・東大工）
8. 超高圧電顕法による金属管化合物の低温電子照射効果の観察（森博太郎・阪大超高圧電顕セ）
9. 極低温照射した金属の内部摩擦測定-高融点BCC金属と金ナノ結晶材の物性-（谷本久典・筑波大物質工）

I:

Green’s Function Methods for Impurities in Metals and for Metallic Surfaces and Interfaces (P. H. Dederichs, KFA-IFF Julich)

I:

超高純度金属の物性---格子欠陥制御によってみえた新しい電子輸送現象---（上田善武・広大理）

I:

DNAクラスター損傷の精製とその生物影響（渡辺宏・原研高崎）

　

1996春（金沢）

 　

S:

半導体・格子欠陥の新しい同定法とその信頼性
1. 実験家の立場から（平田光兒・阪大理）
2. 半導体中の点欠陥プローブとしての陽電子の個性と信頼性（谷川庄一郎・筑波大物質）
3. 陽電子消滅確率の理論的解析-電子・陽電子カーパリネロ法による計算（斎藤峯雄・日本電気技術情報システム）
4. 核物性的手法による半導体中の格子欠陥と不純物（花田黎門・東北大金研）
5. mSRで眺めたミュオニウム中心の動的過程（門野良典・理研）
6. X線散漫散乱（前田裕司・原研）
7. コメント：高分解能電子顕微法（高柳邦夫・東工大総合理工）
8. ラマン散乱による格子欠陥の検出（中島信一・阪大工）
9. 赤外および遠赤外吸収法によるシリコン中の酸素関連欠陥の特定と振動状態解析（金田寛・富士通）
10. 理論家の立場から（押山淳・筑波大理）

I:

点欠陥反応研究の新しい展開（桐谷道雄・名大工）

I:

物性としての塑性（竹内伸・東大物性研）