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23aYF 格子欠陥・ナノ構造 | |
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1 | 負ミュオン移行率の温度依存性で見る固体トリチウム中のヘリウム3の挙動 理研,KEKA,UC RiversideB 松崎禎市郎,石田勝彦,今尾浩士,松田恭幸,河村成肇A,豊田晃久A,岩崎雅彦,永嶺謙忠B |
2 | 水素吸蔵物質NaAlH4における水素拡散の律速過程:水素結合の発見 高エネ機構物構研A,総研大B,産総研C,ハワイ大D 門野良典A,B,下村浩一郎A,佐藤宏樹B,竹下聡史A,幸田章宏A,B,西山樟生A,秋葉悦男C,R.M. AyabeD,M. KubaD,C.M. JensenD |
3 | DEI法によるチタン中の水素化物の観察 金沢大理,金沢大医A,高エ研放射光B,島根大理工C 金井貴志,藤下豪司,岡本博之A,平野馨一B,水野薫C |
4 | SmHx(2.2<x<2.6)の誘電関数:水素濃度の影響 埼大院理工,カシオ計算機A,東大物性研B 酒井政道,丹治義和,遠藤元気A,中村修A,田島裕之B |
5 | 鉄中の炭化クロム析出物による陽電子捕獲と水素トラップ 阪大工,阪大学生A,住友金属B 荒木秀樹,丸山一樹A,水野正隆,白井泰治,大村朋彦B,濱田昌彦B,小川和博B |
6 | 遷移金属炭化物の水素トラップ能に関する第一原理計算 阪大工 水野正隆,荒木秀樹,白井泰治 |
7 | Pdx/M1-x合金ナノ粒子(M=Ir, Pt, Au)の特異な水素吸蔵特性 九大院理,JST-CRESTA 小林浩和,山内美穂,池田龍一,北川宏A |
23pYF 格子欠陥・ナノ構造 | |
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7 | 半経験的計算手法を用いたFeクラスターの安定性解析 原子力機構 五十嵐誉廣,中沢哲也,都留智仁,加治芳行 |
8 | 粗視化粒子法のカーボンナノチューブへの適用 名工大院A,JST-CRESTB 中村貴英A,B,小林亮A,B,尾形修司A,B |
9 | 金属メソスケール突起物の振動制御:ハイブリッド粗視化粒子−原子シミュレーション法の適用 名工大院A,JST-CRESTB 小林亮A,B,中村貴英A,B,後藤謙次A,B,尾形修司A,B |
10 | 乱れた金属系に対するハイブリッド量子古典法の領域接続精度 名工大院A,JST-CRESTB 阿部祐也A,B,尾形修司A,B,小林亮A,B,中村貴英A,B |
11 | 分子動力学−連続体ハイブリッド法の新手法とその応用例 山口大院理工 仙田康浩,金奎希 |
12 | スリット状細孔におけるナノシートSiの形成シミュレーション 産総研計算科学 森下徹也,西尾憲吾,三上益弘 |
24aYF 格子欠陥・ナノ構造 | |
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1 | 非等方性弾性体中の転位に対応する応力関数の研究 九大応力研,九大非常勤A 大沢一人,矢木雅敏,蔵元英一A |
2 | ナノスケール物質の熱力学的性質及び機械的性質の計算II 東工大総理工,ケンタッキー州立大A,ハノイ国立大B 神藤欣一,M.MenonA,V.V.HungB |
3 | 金属結晶の弾性定数の温度依存性の計算IV 東工大総合理工,ハノイ国立大A,産総研関西B,京都府地域結集型共同研究事業コア研C 神藤欣一,V.V.HungA,香山正憲B,○R.BelkadaC |
4 | Al-Ga合金の延性脆性遷移の温度履歴 明大理工 伊藤彰記,小泉大一 |
5 | 亜鉛による鉄鋼材料の脆化 明大理工 泉純也,小泉大一 |
6 | ワイドギャップ半導体の強度特性と転位運動 東北大金研 米永一郎,大野裕,太子敏則,小泉晴比古 |
7 | 低角入射による表面近傍の構造に敏感な放射光トポグラフィーを用いた4H-SiCの格子欠陥の観察 産総研A,日立製作所B 松畑洋文A,山口博隆A,大野俊之B |
8 | ZnTeホモエピタキシャル半導体薄膜の放射光トポグラフィによる結晶評価 島根大理工,金沢大医A,金沢大理B,IMM-CNRC 水野薫,岡本博之A,金井貴志B,P.PreteC,N.LovergineC |
9 | x線照射したKCl:Ca2+の降伏と発光 金沢大自然 大角富康,井田幸助,中村昭一 |
24pYF 格子欠陥・ナノ構造 | |
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1 | 陽電子消滅法を用いた低温電子線照射したSi中の空孔型欠陥の低温測定 東大院総合文化,東北大金研A 武内伴照,井上耕治A,唐政A,永井康介A,長谷川雅幸A,兵頭俊夫 |
2 | FZシリコンにおける原子空孔による低温弾性ソフト化:高温長時間酸素アニールの影響 新潟大物質量子セ,新潟大院自然A,東北大金研B 金田寛,渡辺肇A,昆金正敏A,後藤輝孝A,根本祐一A,柳沢達也A,中村慎太郎B |
3 | 定温超音波計測による酸化熱処理シリコン結晶の原子空孔観測 新潟大院自然,新潟大物質量子セA,東北大極低温セB 渡邊肇,後藤輝孝,金田寛A,根本祐一,昆金正敏,柳澤達也,中村慎太郎B |
4 | シリコン結晶中の原子空孔における強相関−強結合量子状態III 新潟大院自然,新潟大理A 山川洋一,三本啓輔,大野義章A |
5 | グリーン関数を用いたシリコン原子空孔における局所電子状態 新潟大院自,新潟大理A 山田武見,山川洋一,大野義章A |
6 | 原子空孔を含むSi結晶の弾性定数の温度依存性:TBMDおよびDFT解析 岡山大院自然,新潟大自然A 小川貴史,鶴田健二,家富洋A,後藤輝孝A,金田寛A,東辻千枝子,東辻浩夫 |
7 | Si結晶中の単原子空孔の弾性定数への影響 阪大産研 石定惇,白井光雲,吉田博 |
8 | シリコン中のCu複合体のフォトルミネッセンス:解釈 阪大産研 白井光雲,山口宏信,吉田博,江村修一 |
9 | InN膜中の刃状転位欠陥の電子構造:理論的考察 千葉大自然,千葉大理A 武井祐樹,中山隆史A |
10 | a-Si(H)脱水素スペクトルの紫外光照射効果 筑波大数理,産総研A 新井秀俊,谷本久典, 水林博,山中光之A,坂田功A |
11 | GaSb, InSbの電子線照射効果 神戸大工,阪大UHVEMA,京大原子炉B,高知工大工C 新田紀子,保田英洋,森博太郎A,林禎彦B,義家敏正B,大岡由佳理C,谷脇雅文C |
12 | 酸化亜鉛中の電子線照射欠陥の同定 原子力機構先端基礎,武漢大A,みずほ情報総研B 河裾厚男,陳志権A,別役潔B |
13 | 3次元アトムプローブによるゲート酸化膜/シリコン基板界面へのAs原子偏析の観察 東北大金研,SeleteA 井上耕治,矢野史子A,西田彰男A,外山健,永井康介,長谷川雅幸 |
14 | Ge中転位の電気的性質 東大生研 大岩弘和,横山卓史,上村祥史,枝川圭一 |
15 | ZnO中の転位に関係する局在電子準位 東北大金研A,東北大学際セB 大野裕A,小泉晴比古A,太子敏則A,藤井克司A,B,後藤浩輝A,B,八百隆文A,B,米永一郎A |