|
|---|
| 28aE 格子欠陥 | |
|---|---|
| 1. | 電子照射による欠陥発生の結晶内電子流状態依存（松本健巳。名大工、荒井重雄、武藤俊介・名大理工総研、桐谷道雄・広工大） |
| 2. | 電子分光・電子顕微鏡法による黒鉛の照射損傷過程の解析（竹内稔・名大工、武藤俊介、田辺哲朗・・名大理工総研） |
| 3. | 低温電子線照射による金表面でのナノサイズの溝の自己組織化（庭瀬敬右・兵庫教育大、W. Sigle、F. Phillips、A. Seeger・Max-Planck研究所） |
| 4. | カスケード損傷による自由拡散欠陥（Freely Migrating Defects）の消滅（II）（岩瀬彰宏・原研先端研、L. E. Rehn、P. M. Baldo、L. Funk・ANL） |
| 5. | FCC金属中の欠陥集合体のＸ線散漫散乱（大塚英男、前田裕司、松本徳真、熊野秀樹、須貝宏行、加藤輝雄、本橋治彦、知見康弘、岩瀬彰宏・原研、早乙女隆雄・名大工、山川浩二・広大工） |
| 6. | 低速陽電子ビームによる金属多層膜Fe/Hfの固相反応の研究（大滝英一、大泉知也、岩本哲、金沢育三・東学大、小森文夫・東大物性研、伊藤泰男・東大原総セ） |
| 7. | Ni中の空孔集合体における陽電子寿命（上之康一郎、大村雅一・九大総理工、堤哲男、竹中稔、安部博信、蔵元英一・九大応力研） |
| 8. | 中性子照射されたNi合金中のボイド表面でのポジトロニウム形成（福島博、下村義治・広大工） |
| 9. | 2K以下での純金中の格子間原子及びその集合体の移動度（杉尾健次郎、林原俊治、ひも村義治・広大工） |
| 10. | 純銅中の格子間原子集合体の動的挙動（趙平、下村義治・広大工） |
| 11. | 高温で中性子照射した純銅での損傷組織発達過程（下村義治、向田一郎、西口理恵子・広大工） |
| 12. | 鉄中の刃状転位および転位ループと格子間原子の相互作用の計算機シミュレーション（小柳万博・九大総理工、堤哲男、大沢一人、蔵元英一・九大応力研） |
| 13. | 刃状転位と格子間原子集合体の相互作用エネルギー（蔵元英一、堤哲男、佃昇・九大応力研、小柳万博・九大総理工） |
| 28pE 格子欠陥 | |
|---|---|
| 1. | 結晶へのイオン注入の横方向分布（中川幸子、斎藤博・岡山理大理、L . Thome・CSNSM） |
| 2. | パラジゥウム中の水素の拡散-水素濃度依存-（山川浩一・広大工、前田裕司・原研） |
| 3. | Mo単結晶（111, 110, 100）界面における水素の熱力学的性質（原田修治・新潟大工） |
| 4. | シリコン添加されたアルミニウムに於ける水素の熱的挙動III（小倉政彦、山地宣介、樋口哲也、今井誠、伊藤秋男、今西信嗣・京大院工） |
| 5. | 超高純度Al単結晶における非線形電気伝導（上田善武・広大理、橋本英二・広大放射光） |
| 6. | Ti-4at%Al合金におけるa->a2+g相分離の特徴（谷村誠、井上靖秀・日産アーク、青山敦司、小山泰正・早大理工） |
| 7. | ガスデポ十ション法で作製した金ナノ結晶材の力学的性質II（境誠司、谷本久典、藤田浩志、水谷博・筑波大物質工） |
| 8. | GGA-FPKKRグリーン関数法によるfcc金属の格子定数と弾性定数（安里光裕、星野敏春、浅田寿生・静大工、R. Zeller、P. H. Dederichs・KFA - IFF Juelich） |
| 9. | GGA-FLAPW法によるfcc金属の格子定数と弾性定数:GGA-FPKKRグリーン関数法との比較（片山竜一、星野敏春、浅田寿生・静大工） |
| 10. | GGA-FPKKRグリーン関数法によるfcc金属の空格子点形成エネルギー（星野敏春、安里光裕、浅田寿生・静大工、R. Zeller、P. H. Dederichs・KFA - IFFJuelich） |
| 11. | Pd、Agのへき開・すべりにおけるsp電子とd電子の役割（谷森奏一郎、嶋村修二・山口大工） |
| 12. | O(N)非直交基底TBMD法による半導体結晶中の転位の計算II（神藤欣一・東工大総合理工、M. Menon、K. R. Subbaswamy・ケンタッキー大学物理） |
| 13. | 連続変位クラスター変分法による格子欠陥（クラック、転位）の計算II（菊池良一・UCLA、神藤欣一・東工大総合理工） |
| 14. | Si中線上欠陥の電子状態（小山紀久、太田英二・慶大理工、竹田京三郎・早大理工、白石賢二・NTT基礎研） |
| 15. | SiCの結晶粒界の第一原理計算II（香山正憲・大工研） |
| 29aE 格子欠陥 | |
|---|---|
| 1. | 運動する転位に対するflexible boundary condition（大沢一人、蔵元英一・九大応力研） |
| 2. | FCC金属の転位ジョグによるキンク対形成と低温塑性（奥田重雄・茨城大工） |
| 3. | 転位がピン止め原子からトンネル離脱する領域での内部摩擦測定（小杉俊男・広大理、D. McKay、A. V. Granato・イリノイ大） |
| 4. | Blaha効果測定中の転位運動（大角富康、柴田昇・金沢大工） |
| 5. | シリコン中の転位運動に及ぼす水素プラズマ照射効果（山下善文、条辺文彦、箱田善弘、井上景介、上浦洋一、橋本文雄・岡山大工） |
| 6. | Plan-view HREM法による転位線の原子像観察の分解能（井上雅史、前田康二・東大工、鈴木邦夫・東大物性研） |
| 7. | 静水圧変化による氷結晶中の転位の上昇運動（森川公彦、堀彰、本堂武夫・北大低温研、岡田康雄・北大工） |
| 8. | N-メチルウレア結晶の転位の特性（清水幹郎、井上恵一・横浜市大総合理、橘勝、小島謙一・横浜市大理） |
| 9. | C60結晶の光照射硬化（佐久間裕子・横浜市大総合理、橘勝、小島謙一・横浜市大理、菊池耕一、阿知波洋次・都立文理） |
| 10. | Glifalcoポテンシャルを用いたC60結晶中の転位の計算機シミュレーション（玉木滋・横浜市大総文理、井手直樹・名工大工、岡田勇、小島謙一・横浜市大理） |
| 11. | GeSi の強度特性（III）（米永一郎・東北大金研） |
| 12. | InPの塑性変形機構（鈴木敬愛、樽稔樹・東大生研） |
| 13. | SnSb単結晶の塑性I（徳岡輝和、竹内伸・東理大基礎工、鈴木敬愛・東大生研） |
|
29pE 格子欠陥シンポジウム 材料界面研究の新展開 | |
|---|---|
| 1. | 結晶粒界と異種物質界面の原子・電子構造（市野瀬英喜・東大工） |
| 2. | 材料界面のEELSとその理論解析（田中功・京大エネ研） |
| 3. | 意志物質界面の原子構造と方位予測（幾原雄一・東大工） |
| 4. | 原子サイズ接合による界面形成と原子直視型観察（木塚徳志・名大工） |
| 5. | 界面の摩擦のメカニズム（平野元久・NTT入力システム研） |
| 6. | 直接接合法による半導体素子の界面（森一男、徳留圭一、菅生繁男・NECエレ研） |
| 7. | プラズマCVD法による微結晶シリコン薄膜作成における界面制御（近藤道雄、松田彰久・電総研） |
| 8. | セラミックスの超塑性幻想と粒界ダイナミックス（若井史博・名工研、科技団） |
| 30pE 格子欠陥 | |
|---|---|
| 1. | KI結晶中の正孔を伴った陽イオン空格子の移動（片岡球子、原見忠彦・立命大理工） |
| 2. | Ca10xTxTiO2及びCaTi1-xNbxO3単結晶中のキャリア補償と生成（植田和茂、柳博、川副博司・東工大応セラ研、植田尚之、細野秀雄・分子研） |
| 3. | 高圧合成ダイヤモンドにおける発光スペクトルの温度依存性（渡邊賢司、神田久生、佐藤洋一郎・無機材研） |
| 4. | Nutation NMRによる不純物ドープされたGaAsについての研究（竹内誉羽、中村弘輝、喜多英二、田崎明・筑波大物質工、恵良田知樹・北大工） |
| 5. | Si中のsplit-<100> interstitial移動の図的模型（吉田正幸・吉田半導体研、鶴野玲治・九州芸工大、友影肇・福岡大工、高橋学・福工大） |
| 6. | シリコン単結晶育成時の点欠陥の挙動（江部忠之・信越半導体磯部研） |
| 7. | B dope Cz-Siの電子線照射欠陥（堀史説、玉野拓也、大嶋隆一郎・阪府立先端研、久松正・NASDA） |
| 8. | Si-Ge混晶における電子線照射欠陥（山崎順・阪大基礎工、竹田精治・阪大理、米永一郎・東北大金研） |
| 9. | 不純物をイオン注入したSiのPAC（花田黎明・東北大金研） |
| 10. | Asを高ドープしたSi(001)の表面構造（清水哲夫、徳本洋志・JRCAT-融合研、安藤淳・電総研） |
| 11. | 半導体中の微小金属析出物のEELS測定（河野日出夫、竹田精治、平田光兒・阪大理） |
| 12. | 緩和したSiGe/Siエピタキシャル膜の断面STM観察（目良裕、前田康二・東大工） |
| 13. | 強力X線照射された非晶質シリコンI. 平均構造の変化（武藤俊介・名大理工総研、Lei Wang、Kin man Yu、W. Walukieeicz・Lawrence Berkeley Lab.、S.McCormick、J. R. Abelson・Univ. of Illinois） |
| 14. | 強力X線照射された非晶質シリコンII. 再結晶化挙動（小林由美子、武藤俊介・名大理工総研、Lei Wang、Kin man Yu、W. Walukieeicz・Lawrence Berkeley Lab.、S. McCormick、J. R. Abelson・Univ. of Illinois） |
| 15. | 石英ガラス中の照射欠陥による陽電子捕獲（長谷川雅幸、真安正明、田畑誠、唐政、山口貞衛・東北大金研、藤波真紀・新日鐵先端研、伊藤泰男・東大原総センター） |
| 16. | SiO2ガラスの遠赤外吸収と水酸基の分布（押川真一、大坂俊明・東北大科研） |
| 31aE 格子欠陥、半導体合同 | |
|---|---|
| 1. | 希土類系酸硫化物中の点欠陥の電子構造計算（三上昌義・三菱化学横総研、押山淳・筑波大理） |
| 2. | 第一原理計算によるSi中のB12クラスターの研究III（山内淳・東芝基礎研、青木伸俊、水島一郎・東芝ME研） |
| 3. | Si中の負ミュオンが形成する擬Alアクセプター（m-Si）の構造（門野良典、P.L. Pratt、永嶺謙忠・理研、T. M. Briere・東大物性研、T. P. das・ニューヨーク州立大） |
| 4. | GaAs中のハロゲン原子の拡散過程（大野隆央、佐々木泰造・金材技研、田口明仁・NTT基礎研） |
| 5. | 光励起半絶縁性GaAs中の浅いドナーのダイナミックスIII（藤井研一、細川誠、大山忠司・阪大理） |
| 6. | Si-Ge混晶中の金及び鉄のエネルギーレベル（本田達也、関口隆史、末澤正志。東北大金研） |
| 7. | p型Si中の鉄の再結合促進原子移動（高橋亨、末澤正志・東北大金研） |
| 8. | 半導体SiC中の電子線照射誘起欠陥の研究（III）（河裾厚男、伊藤久義、大島武、安部功二、岡田漱平・原研高崎） |
| 9. | ダイヤモンドの陽電子消滅２次元角相関（千葉利信、赤羽隆史・無機材研、長谷川雅幸、唐政・東北大金研、斎藤峯雄・NEC、角谷均・住友電工） |
| 10. | Positron 2D-ACARSpectroscopy for vacancies in Si and Diamond（唐政、長谷川雅幸、李志強、川添良幸・東北大金研、千葉利信・無機材研、斎藤峯雄・NEC情報システムズ、角谷均・住友電工） |
| 11. | Si中の水素-炭素複合体I（安定性）（橋本文雄、上浦洋一、大山重紀、山下善文・岡山大理） |
| 12. | Si中の水素-炭素複合体II（一軸性応力効果）（上浦洋一、石賀展昭、山下善文、橋本文雄・岡山大理） |
| 13. | Si結晶中の不純物酸素による30cm-1吸収帯のピーク強度比（理論と実験の比較）（金田寛・富士通デバイス開発部） |
| 14. | 超高真空電顕法によるシリコン薄膜の電子線照射効果の研究（古戸聖浩・阪大基礎工、竹田精治・阪大理、市橋鋭也、飯島澄男・NEC基礎研） |