|
|---|
| 1aN 格子欠陥 | |
|---|---|
| 1. | 純金のdi-interstitialの低温での移動（下村義治、林原俊治・広大工、杉尾健次郎・広大院） |
| 2. | 純銀中の原子空孔集合体構造緩和のシミュレーション（山田昌義、杉尾健次郎・広大院、下村義治・広大工） |
| 3. | 純白金中の原子空孔微小集合体の構造緩和（松尾俊茂、杉尾健次郎・広大院、下村義治・広大工） |
| 4. | 転位欠損状態での塑性変形による原子空孔の異常発生機構（下村義治、佐藤祐樹・広大工、杉尾健次郎・広大院、桐谷道雄・広工大） |
| 5. | 2次元周期ポテンシャル上の転位ループの慣性運動（小泉大一・明大理工、鈴木敬愛・東大生研） |
| 6. | 転位運動の応力依存性に関する分子動力学シミュレーション（東村武則・阪女大基礎理） |
| 7. | 転位ループの構造の計算機シミュレーション（蔵元英一、堤哲男・九大応力研） |
| 8. | 転位の分子動力学計算のための flexible boundary condition（大沢一人、蔵元英一・九大応力研） |
| 9. | 外力を与えた場合のダイヤモンド結晶の破壊過程シミュレーション（上村揚一郎・無機材研） |
| 10. | 連続変位クラスター変分法による格子欠陥（クラック先端）の計算（神藤欣一・東工大総理工、菊池良一・UCLA、R. Thomson・NIST） |
| 11. | （特別講演）Green's Function Methods for Impurities in Metals and forMetallic Surfaces and Interfaces (P. H. Dederichs, KFA-IFF Julich) |
| 1pN 格子欠陥 | |
|---|---|
| 1. | O(N)非直交基底TBMD法による半導体結晶中の転位の計算（神藤欣一・東工大総理工、M. Menon、K. R. Subbaswamy・ケンタッキー大物理） |
| 2. | 非直交基底クラスター・リカージョン法によるシリコン結晶中の格子欠陥の計算（小畑修二・電機大理工、神藤欣一・東工大総理工） |
| 3. | SiCの結晶粒界の第一原理計算（香山正憲・大工試） |
| 4. | Si中の14面体型B12クラスター（岡本邦夫、橋本和信、高柳邦夫・新技団高柳粒子表面プロジェクト） |
| 5. | すべり面垂直入射HREM観察で調べた半導体中の転位運動素過程（井上雅史、天清宗山、中村真奈美、前田康二・東大工、鈴木邦夫・東大物性研） |
| 6. | ?? |
| 7. | 走査トンネル顕微鏡DLTS顕微鏡の空間分解能（前田康二・東大工） |
| 8. | STMトンネル電流注入で促進された表面原子反応（兼松えりか、目良裕、前田康二・東大工） |
| 9. | InPの高圧下における塑性変形（鈴木敬愛、西迫隆志、樽稔樹・東大生研、鈴木邦夫・東大物性研） |
| 10. | GeSiの強度特性[II]（米永一郎・東北大金研） |
| 11. | ZnSの衝撃超高圧下の構造相転移（真下茂、内野正和・熊大工、小林敬道、関根利守・無機材研、野口雄一、彦坂英昭、福岡清人、庄野安彦・東北大金研） |
| 12. | C60結晶の変形特性（小松武志、佐久間裕子・横浜市大総合理、橘勝、小島謙一・横浜市大理） |
| 13. | 蛋白リゾチーム結晶の力学特性（島津徹、・横浜市大総合理、橘勝、小島謙一・横浜市大理、安宅光雄・生命研） |
| 2aN 格子欠陥 | |
|---|---|
| 1. | SEMにおける2次電子検出の高効率化（江口宇三郎、丹野直弘・山形大院工） |
| 2. | 石英ガラス中の放射線照射によって生ずる陽電子捕獲欠陥（長谷川雅幸、真安正明、田畑誠、山口貞衛・東北大金研、藤波真紀・新日鐵先端技研、伊藤泰男・東大原総セ） |
| 3. | ガンマ線照射による破砕石英中の常磁性天欠陥の生成（平井誠、池谷元伺・阪大理） |
| 4. | 固体SiO2中のラジカルのパルスESR測定（彼末一則、谷篤史、山中千博、池谷元伺・阪大理） |
| 5. | ESRによるFe-Ga対の光照射温度依存性（高橋亨、末澤正志・東北大金研） |
| 6. | Si中のP拡散への空孔機構および準格子間機構対拡散モデルの適用（吉田正幸・吉田半導体研、荒井栄輔・名工大） |
| 7. | 低温下で重イオン照射したシリコン半導体の電機抵抗率その場測定I（須貝宏行、前田裕司、大塚英男、松本徳真・原研東海、春名勝次・玉川大工、小野文久・岡山大工） |
| 8. | Sbをイオン打ち込みしたSi中の欠陥のアニーリング時間依存性（上杉文彦、橋本巌・東理大理、渡辺和人・都立高専） |
| 9. | シリコンの酸化膜成長速度と格子間シリコン生成速度の関係（沖野隆久・日本文理大工、下崎敏雄・九工大分析セ） |
| 10. | シリコン結晶中の金単原子のHAADF-STEM像コントラスト計算（中村邦康、柿林博司・日立中研、田中信夫・名大工） |
| 11. | （特別講演）超高純度金属の物性?格子欠陥制御によってみえた新しい電子輸送現象-?（上田善武、山崎仁嗣・広大理、橋本英二・広大放射光） |
| 2pN 格子欠陥、半導体合同 | |
|---|---|
| 1. | 低速引き上げCZ-Si結晶中grown-in微小欠陥の放射光トポグラフィ観察II（寺山明哲、岩井剛一、杉浦直樹、石松直樹、飯田敏・富山大理、阿部孝夫・信越半導体、河田洋・高エ研放射光） |
| 2. | Cz-Siのring-OSFの潜在欠陥（堀史説、大嶋隆一郎・阪府大先端研、服部高典・阪大基礎工院） |
| 3. | 高分解能電子顕微鏡法によるSi微小欠陥の観察（古戸聖浩・阪大基礎工、竹田精治・阪大理、市橋鋭也、飯島澄男・NEC基礎研） |
| 4. | Si中のサーマルドナーによるＸ線散漫散乱（山崎亨、橋本巌・東理大理） |
| 5. | シリコン中の不純物酸素の赤外及び遠赤外吸収線幅の温度依存性（金田寛・富士通プロ開） |
| 6. | CZ-Si結晶中の酸素析出関連欠陥の作る不純物準位（小飯塚正明、金田寛・富士通プロ開） |
| 7. | 酸素析出温度の異なるシリコン中の鉄のゲッタリング（高橋英樹、金田寛・富士通プロ開、末澤正志・東北大金研） |
| 8. | 水素雰囲気で育成したシリコンの光吸収スペクトル（末澤正志・東北大金研） |
| 9. | 砒化ガリウムのフォトルミネッセンス・スペクトルのゲルマニウム濃度依存性（渡辺武人、末澤正志・東北大金研） |
| 10. | InPにおける点欠陥の拡散過程（大野裕、竹田精治、平田光兒・阪大理） |
| 11. | 半導体SiC中の電子線照射欠陥（II）（河裾厚男、伊藤久義、岡田漱平・原研高崎） |
| 12. | 陽電子消滅法によるSiGe中の電子線照射欠陥の研究I（河裾厚男、岡田漱平・原研高崎、末澤正志、本田達也・東北大金研） |
| 13. | 半導体不純物における双安定性と電子間相互作用（清水功、篠塚雄三・山口大工） |
| 3aN 格子欠陥 | |
|---|---|
| 1. | EXELFSによる黒鉛の照射損傷過程の解析（竹内稔・名大工、武藤俊介、田辺哲朗、荒井重雄、畔柳友章・名大理工総研） |
| 2. | 中性子小角散乱による熱分解黒鉛の構造評価（相澤一也、富満広・原研） |
| 3. | 電子線低温照射した熱分解黒鉛の負の磁気抵抗（岩瀬彰宏、石川法人、知見康弘、岩田忠夫・原研先端研、仁平猛・茨城大工） |
| 4. | Fe-P希薄合金中のミスト・ダンベルの移動ステージ（安部博信、蔵本英一・九大応力研） |
| 5. | 鉄の高エネルギー重イオン照射効果（知見康弘、石川法人、岩瀬彰宏・原研） |
| 6. | FCC金属中の照射欠陥のX線散漫散乱（松本徳真、大塚英男、前田裕司、須貝宏行、加藤輝男、本橋治彦・原研、早乙女隆雄・玉川大工、熊野秀樹・名大工） |
| 7. | 中性子照射されたb-LiAl原子空孔の規則-不規則変態（矢萩正人・青森大工、須貝宏行、柳瀬正和・原研東海、浜中廣見、栗山一男・法大工） |
| 8. | 中性子照射されたAlN中の核変換元素の挙動（跡部紘三、田代知典、本田亮、福岡登、松川徳雄・鳴門教育大自然系、岡田守民・京大原子炉、中川益夫・香川大教育） |
| 9. | プロトン照射による高温超伝導体の磁束ピンニングの変化（岡安悟、数又幸生・原研） |
| 10. | Ni中の格子欠陥の陽電子消滅寿命測定法による研究（上之康一郎、大村雅一、上村祥史・九大総理工、堤哲男、竹中稔、蔵元英一・九大応力研） |
| 11. | 56Fe（d、p）57Feメスバウアー分光II（檜山晋、那須三郎・阪大基礎工、花田黎門・東北大金研） |
| 12. | 金属多層膜Fe/Hfの作成と低速陽電子ビームによる評価（大滝英一、村重祐介、田代隆、小泉知也、岩本哲、金沢有三・東学大物理、小森文夫・東大物性研、伊藤泰男・東大原総セ） |
| 13. | 照射誘起偏析における表面の効果（江澤正思・東亜大工） |
|
3pN 格子欠陥シンポジウム 極低温照射実験と格子欠陥研究 | |
|---|---|
| 1. | Introductory talk（奥田重雄・茨城大工） |
| 2. | 低温照射された金属の陽電子消滅測定法による研究（蔵元英一・九大応力研） |
| 3. | 低温中性子照射した金属の低温TEM観察（福島博・広大工） |
| 4. | KURにおける材料照射研究の現状と将来（義家敏正・京大原子炉） |
| 5. | イオン結晶およびセラミックスのKUR低温照射研究（岡田守民・京大原子炉） |
| 6. | 低温照射した高温超伝導体における欠陥生成（石川法人・原研先端研） |
| 7. | 東大弥生炉における極低温中性子照射実験（岡村直人・東大工） |
| 8. | 超高圧電顕法による金属管化合物の低温電子照射効果の観察（森博太郎・阪大超高圧電顕セ） |
| 9. | 極低温照射した金属の内部摩擦測定-高融点BCC金属と金ナノ結晶材の物性-（谷本久典・筑波大物質工） |
| 4aN 格子欠陥 | |
|---|---|
| 1. | 高純度Alおよび高純度Al希薄合金単結晶におけるサイズ効果（山崎仁嗣、上田善武・広大理、橋本英二・広大放射光） |
| 2. | アルミニウム結晶中に析出したキセノン原子クラスターの結晶構造解析（淡路晃弘、石川信博、古屋一夫・金材技研） |
| 3. | Al中の結晶粒界に沿ったHeバブルのブラウン運動のその場観察（小野興太郎・島根大総合理工、右野茂実、北條喜一・原研） |
| 4. | 急冷したアルミニウム合金でのボイドの形成（陳秋栄、藤本章弘・広大院、向田一郎、下村義治・広大工） |
| 5. | 高純度タンタル中での正ミュオンの量子拡散-超伝導の効果（門野良典・理研、R. F. Kiefl、J. A. Chakhalian、S. R. Dunsiger、W. A. MacFarlane・British Colmbia大、B. Hitti、S. R. Kreutzman・TRIUMF、J. Major・MPI-Stuttgart） |
| 6. | アモルファスCuTi中の水素拡散（水林博、石井たみ・筑波大物質工） |
| 7. | 白金単結晶-水素系の界面反応とその温度依存性（原田修治・新潟大工） |
| 8. | タングステン上の重水素の吸着（清水哲夫、徳本洋志・JRCAT-NAIR、大井明彦・JRCAT-ATP） |
| 9. | イットリウム中の水素のオーダリング（山川浩二・広大工、前田裕司・原研） |
| 10. | 希薄なV-H合金の臨界固溶温度付近でのC’-mode超音波吸収（小島日出夫、真田徳信、小池茂年・東理大理） |
| 11. | （特別講演）DNAクラスター損傷の精製とその生物影響（渡辺宏・原研高崎） |
| 4pN 格子欠陥 | |
|---|---|
| 1. | アルミニウムの超塑性変形による積層欠陥四面体型原子空孔集合体の形成（佐藤裕樹、西山好信、下村義治・広大工、荒河一渡・名大院、桐谷道雄・広工大） |
| 2. | 急冷した金属中の欠陥集合体のX線散漫散乱（前田裕司、大塚英男、松本徳真、加藤輝男・原研、山川浩二・広大工、早乙女隆雄・玉川大工、藤井宣年・岡山大理、熊野秀樹・名大工） |
| 3. | ガスデポジション法で作成した金ナノ結晶材の力学的性質（谷本久典、境誠司、藤田浩志、水林博・筑波大物質工） |
| 4. | セシウムアライド結晶中の二荷不純物イオンの挙動（浅田拡志、原田義文・福井大工） |
| 5. | Li2O-B2O3系結晶およびガラスのNMR（松尾徹、芝崎雅之、勝又徹・東洋大工） |